R
X
G
страница:

K175


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 180V
IDS 8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 250/90nS
K175 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK175
подробная информация K175
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ55
Список аналогов:-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

K175


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 180V
IDS 8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 250/90nS
K175 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK175
подробная информация K175
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ55
Список аналогов:-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

K175


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 180V
IDS 8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 250/90nS
K175 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK175
подробная информация K175
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ55
Список аналогов:-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SJ55


силиконовый P-MOSFET транзистор
complementary type to K175
GFX
UDS -180V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 320/120nS
2SJ55 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Hitachi Power MOSFET Data...... [еще]
Hitachi Power MOSFET Data Book 04/83
Комплементарные пары: 2SJ55
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SK175
Список аналогов:see 2SJ55
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SJ55


силиконовый P-MOSFET транзистор
complementary type to K175
GFX
UDS -180V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 320/120nS
2SJ55 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Hitachi Power MOSFET Data...... [еще]
Hitachi Power MOSFET Data Book 04/83
Комплементарные пары: 2SJ55
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SK175
Список аналогов:see 2SJ55
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SJ55


силиконовый P-MOSFET транзистор
complementary type to K175
GFX
UDS -180V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 320/120nS
2SJ55 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Hitachi Power MOSFET Data...... [еще]
Hitachi Power MOSFET Data Book 04/83
Комплементарные пары: 2SJ55
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SK175
Список аналогов:see 2SJ55
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск